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离子迁移不再困扰：高效覆盖膜解决方案

隨著电子设(shè)备在提高性能的同时向著小型化、轻量化方向发(fā)展，產(chǎn)品集成度越来越高，FPC的线宽线距越来越小。当FPC在高温高湿的环(huán)境下工作时，细线路间易形成导(dǎo)电性枝晶，降低线路间的绝缘可靠性，甚至导(dǎo)致FPC短路失效。离子迁移造成的电子產(chǎn)品元器件电化学(xué)腐蚀成为下游FPC厂近几年最严重的质(zhì)量问题。

提高PCB基材的耐离子迁移性成为了电子產(chǎn)品开发(fā)中的迫切需求。因此，对于精细线路制程工艺，与之匹配的抗枝晶（Anti-dendrite）材料就显得十分必要。抗枝晶（Anti-dendrite）材料的使用，能有效降低细线路间產(chǎn)生枝晶的风(fēng)险，提高FPC的可靠性。

耐离子迁移的產(chǎn)生条件

电化学(xué)迁移通常是指在电场作用下使金属离子发(fā)生迁移的现(xiàn)象，其形成的必要条件：电势差、电解质(zhì)溶液、离子迁移通道、可迁移物质(zhì)。

电势差：当FPCB使用通电时，通路之间会形成一定的电势差。

电解质(zhì)溶液：环(huán)境条件下的水汽，FPCB制程中的污染物离子及有胶材料胶粘剂中的杂质(zhì)离子，可形成可导(dǎo)电的电解质(zhì)溶液。

离子迁移通道：环(huán)氧胶系覆盖膜在热固化过程中会形成一些微小孔隙及空洞，就可为离子迁移提供通道。

可迁移物质(zhì)：焊点Sn、 焊盘Ni、基材Cu等可参与电化学(xué)反应(yīng)的金属及其离子。

耐离子迁移覆盖膜优(yōu)势

相对于normal CVL ：

l 更低的卤素水平

l 更优(yōu)秀的高温耐老化能力

l 1000H耐离子迁移能力，无枝晶

相对于其他厂家Anti-dendrite CVL

l 更好的操作性

l 更优(yōu)良的基础(chǔ)物性和耐老化信赖性

l 更具有竞爭力的价格

技术(shù)参数(shù)

ZYC-C系列CVL耐离子迁移性能突出，適合精细线路设(shè)计FPC制程。

耐离子迁移覆盖膜——卤素对比

Anti-dendrite產(chǎn)品具有较Normal產(chǎn)品更低的卤素水准，更耐离子迁移。

 Normal CVL 428ppm

耐离子迁移覆盖膜——迁移测试

Anti-dendrite CVL 1000H Migration test OK

*500h Normal cvl部分样品发(fā)生微短

耐离子迁移覆盖膜——测试设(shè)备

双85环(huán)境下50V直流电压对样品进行测试1000H

Migration test 1000H OK , no dendrite